Thermo Scientific Helios 5 Plasma FIB (PFIB) DualBeam（聚焦离子束扫描电子显微镜或 FIB-SEM）是具有无与伦比的功能，专用于材料科学和半导体应用的显微镜。材料科学研究人员可以通过 Helios 5 PFIB DualBeam 实现大体积 3D 表征、无镓样品制备和精确的微加工。半导体设备、先进包装技术和显示设备的制造商通过 Helios 5 PFIB DualBeam 可实现无损伤、大面积反处理、快速样品制备和高保真故障分析。
规格 - Helios 5 PFIB DualBeam
| Helios 5 PFIB CXe DualBeam | Helios 5 PFIB UXe DualBeam | |
| 电子光学系统 | Elstar 超高分辨率场发射 SEM 色谱柱，具有： 浸没式磁物镜 可提供稳定的高分辨率分析电流的高稳定性肖特基场发射枪 UC+ 单色器技术 | |
| 电子束分辨率 | 在优化工作距离 (WD) 处： 1 kV 时 0.7 nm 500 V (ICD) 时 1.0 nm 在重合点： 15 kV 时 0.6 nm 1 kV 时 1.2 nm | |
| 电子束参数空间 | 电子束电流范围：0.8 pA 至 100 nA 加速电压范围：200 V – 30 kV 着陆能量范围：20* eV – 30 keV 最大水平射野宽度：4 mm WD 时 2.3 mm | |
| 离子光学系统 | 高性能 PFIB 色谱柱，带电感耦合 Xe+ 等离子 (ICP) 离子束电流范围：1.5 pA 至 2.5 µA 加速电压范围： 500 V - 30 kV 最大水平射野宽度：在等离子束重合点处为 0.9 mm 重合点时的离子束分辨率 <使用首选统计方法在 30 kV 时为 20 nm <在 30 kV 下使用选择角方法时为 10 nm | |
| 检测器 | Elstar 镜筒内 SE/BSE 检测器（TLD-SE、TLD-BSE） Elstar 色谱柱内 SE/BSE 检测器 (ICD)* Everhart-Thornley SE 检测器 (ETD) 查看样品/色谱柱的 IR 摄像机 用于二级离子 (SI) 和二级电子 (SE) 的高性能离子转换和电子 (ICE) 检测器 腔室内 Nav-Cam 样品导航摄像机* 可伸缩、低电压、高对比度、定向、固态反向散射电子检测器 (DBS)* 集成的等离子束电流测量 | |
| 载物台和样品 | 灵活的 5 轴电动平台： XY 范围：110 mm Z 范围：65 mm 旋转：360°（无限） 倾斜范围：-38° 至 +90° XY 重复性：3 μm 最大样品高度：与共心点间距 85 mm 0° 倾斜时的最大样品重量：5 kg （包括样品架） 最大样品尺寸：完全旋转时 110 mm（也可以是更大的样品，但旋转有限） 计算中心旋转和倾斜 | 高精度，5 轴电动样品台（带 XYR 轴），压电驱动 XY 范围：150 mm Z 范围：10 mm 旋转：360°（无限） 倾斜范围：-38° 至 +60° XY 重复性：1 μm 最大样品高度：与共心点间距 55 mm 0° 倾斜时的最大样品重量：500 g（包括样品架） 最大样品尺寸：完全旋转时 150 mm（也可以是更大的样品，但旋转有限） 计算中心旋转和倾斜 |
材料科学的主要特点：
无镓 STEM 和 TEM 样品制备
由于新 PFIB 色谱柱可实现 500 V Xe+ 最终抛光和所有操作条件下的优异性能，因此可以实现高质量、无镓 TEM 和 APT 样品制备。
先进的自动化
使用选配的 AutoTEM 5 软件最快、最简单地实现自动化的多点原位和非原位 TEM 样品制备以及横截面成像。
新一代 2.5 μA Xenon 等离子 FIB 色谱柱
使用新一代 2.5 μA Xenon 等离子 FIB 色谱柱 (PFIB) 实现高通量和高质量的统计学相关 3D 表征、横截面成像和微加工。
多模式亚表面和 3D 信息
使用选配的 Auto Slice & View 4 (AS&V4) 软件，访问高质量、多模式亚表面和 3D 信息并精确定位感兴趣区。
低能量下具有亚纳米性能
凭借具有高电流 UC+ 单色器技术的一流 Elstar 电子色谱柱，可以在低能量下实现亚纳米性能，从而显示最细致的细节信息。
完整的样品信息
可通过多达六个集成在色谱柱内和透镜下的集成检测器获得清晰、精确且无电荷对比度的最完整的样品信息。
先进的功能
通过 FIB/SEM 系统采用选配的 Thermo Scientific MultiChem 或 GIS 气输送系统，实现最先进的电子和离子束诱导沉积及蚀刻功能。
无伪影成像
无伪影成像基于集成的样品清洁度管理和专用成像模式，例如 SmartScan™ 和 DCFI 模式。
短时间获得纳米级信息
借助 SmartAlign 和 FLASH 技术，任何经验水平的用户都可以最短时间获得纳米级信息。
精确的样品导航
由于 150 mm 压电载物台和选配腔室内 Nav-Cam 导航具有高稳定性和准确性，可根据具体应用需求定制精确的样品导航。
半导体的主要特点：
半导体设备反处理
Dx 化学处理结合等离子 FIB 束可以为高级逻辑、3D NAND 和 DRAM 提供独特、位点特定、反处理和故障分析工作流程。
高速大面积横截面成像
新一代 2.5 μA Xenon PFIB 色谱柱可实现高通量、高品质、统计学相关的 3D 表征、横截面成像和微加工。
TEM 样品制备
通过 PFIB 反处理结合 Thermo Scientific 引导工作流程，实现高质量、单层面和横截面、自上而下和倒置 TEM 样品制备。
亚纳米低能量 SEM 性能
凭借具有高电流 UC+ 单色器技术的一流 Elstar 电子色谱柱，可以在低能量下实现亚纳米性能，从而显示最细致的细节信息。
先进的自动化
执行带端点的自动反处理。SmartAlign 和 FLASH 技术使具有任何经验水平的用户在短时间内获取纳米级信息。
完整的样品信息
可通过多达六个集成在色谱柱内和透镜下的集成检测器获得清晰、精确且无电荷对比度的最完整的样品信息。
无伪影成像
通过原位自动摇摆抛光和专用成像模式（如 SmartScan 和 DCFI 模式）获取无伪影成像。
精确的样品导航
体验通过灵活的 5 轴电动平台配置和超高分辨率平台选项，专为满足不同应用需求定制的精确样品导航。
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