Thermo Scientific™ CID8710D1M 晶体管单色 CID 摄像机下限抗辐射性至少为 1 x 106 拉德总剂量 (γ) (1 MegaRAD™) 总剂量。摄像机在 768(H) x 612(V) CCIR 版本格式内配置了 2:1 隔行扫描电荷注入设备 (CID) 成像仪和 11.5 微米正方形像素。
货号: CID8712D1MCCIR
规格 - CID8712D1M 抗辐射固态摄像机 (CCIR)
相机 | 抗辐射晶体管 CID 摄像机 |
失真 | 0 |
Imager (Optical Format) | 2/3 in. |
输入 | (J1) + 15 VDC,复合同步/H 驱动,(J2) V 驱动,禁止注入,帧重置 |
输出 | (J1) 视频,帧结束,行结束,H 和 V 驱动,复合同步,消隐;(J2) 视频,ALC,14。 |
像素尺寸 | 11.5 x 11.5 µm |
分辨率 | >500 TVL(水平) |
灵敏度 | 全输出 1.0 fc 荧光屏,0 dB 增益,照明 (T=2850 K) |
电荷注入设备 | 抗辐射晶体管 CID 摄像机 |
CCD | CCIR,25 FPS,2:1 隔行扫描 |
接头类型 | (J1) 25 管销 D(公头),(J2) 25 管销 D(母头),(J3) 26 管销 D(母头),(BNC) 标准 |
工作湿度范围 | 0 至 95%,非冷凝 |
线缆长度(公制) | 30 m |
复合视频 | 1V p-p,终端匹配 75 欧姆电阻 |
CCTV | CID |
有效像素 | 768(H) x 475(V)(RS-170 模式);768(H) x 575(V)(CCIR 模式) |
噪声 | 47 dB |
信噪比 | 47 dB |
总像素 | 786(H) x 612(V) |
级别 | 黑电平:+50 mV(自动黑箝位),白电平:+700 mV,同步电平:-300 mV |
全阱容量 | >250000 电子 |
有效面积 | 11 mm(对角线) |
工作温度(英制) | 32°F 至 86°F |
工作温度(公制) | 0°C 至 30°C |
电子学配置(扫描格式) | CCIR,25 FPS,2:1 隔行扫描 |
环境条件 | 振动:50 G(周期为 10 ms 的 1/2 正弦波) |
安装选项 | 透镜接口:标准 C 接口(1.0 in. - 32 圈螺纹);摄像机接口:1/4 in. - 20 圈螺纹 |
电压 | 14.5 至 15.5 VDC |
瓦数 | 18 W |
功耗 | 1.2 A |
描述 | CID8712D1 M 抗辐射晶体管 CID 摄像机 (CCIR) |
检测器类型 | CID |
Gain | x2、x0.5(内部开关可选) |
图像传感器 | CID |
CCU 重量(英制) | 33 oz. |
头部重量(英制) | 9.7 oz. |
CCU 重量(公制) | 0.93 kg |
头部重量(公制) | 0.27 kg |
Unit Size | Each |
还具有所有 CID 固有的卓越的抗光晕性能,并具有定格功能以在中心帧捕获并读取非同步高速事件。灵活多样的摄像头安装功能可简化安装,节省空间,标准 “C” 接口透镜适配器可支持后焦点调整。
摄像机可耐受 γ、中子、高能电子和质子辐射
由于在 CID 像素内进行像素电荷读取,因此很少出现其他成像技术中常见的单一事件干扰
CID 结构具有固有耐辐射特性,而且在针对 CID 工艺进行特定修改后,已具有抗辐射能力
与 CCD 和 CMOS 摄像机相比,CID 摄像机在辐射环境下的操作性能至少提高了一个数量级
成像仪还具有固有抗光晕性能,可耐受高光反射过载
光过载被限制在每个像素或紧邻的像素内,因此相邻行或列不共享电荷
光谱响应为 200nm 至 1100nm,有适用于 X 射线、远紫外线和红外线的涂层可供选择
CID 成像仪具有连续一致的像素结构,整个传感器工作时几乎无不透明区,便于亚像素边缘检测的像素间插值
小型远程摄像头可轻松更换,它通过所提供长度的挠性线缆连接至摄像机控制装置
电荷注入设备 (CID) 抗辐射技术
1 x 106 拉德总剂量 (γ) 在 7 x 105 拉德/h 下有出色的成像质量 高分辨率/小尺寸 可更换的远程摄像头 无几何畸变
1:1 长宽比像素
精确边缘检测
可选择 2x 和 0.5 视频增益提升
订货提示
根据要求,摄像机有 RS-170 或逐行扫描格式。选项包括彩色和自定义版以及用于空气和水下操作的第三方计划。
需要
需要外部电源供电 +11.5 至 +17 VDC。
建议用于
检查与测量
工艺监测
自动处理
热室监测
激光束分析
科研
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