Thermo Scientific™ CID8710D1M 晶体管单色 CID 摄像机下限抗辐射性至少为 1 x 106 拉德总剂量 (γ) (1 MegaRAD) 总剂量。摄像机在 776(H) x 512(V) RS-170 版本格式内配置了 2:1 隔行扫描电荷注入设备 (CID) 成像仪和 12 x 13.7 微米像素。
货号: CID8710D1M
规格 - CID8710D1M 抗辐射晶体管摄像机 (RS-170)
| 失真 | 0 |
| Imager (Optical Format) | 2/3 in. |
| 输入 | (J1) + 15 VDC，H 驱动/复合同步；(J2) V 驱动，禁止注入，帧重置 |
| 输出 | (J1) 视频，帧结束，行结束，H 和 V 驱动，复合同步，消隐；(J2) 视频，ALC，14。 |
| 像素尺寸 | 12 x 13.7 µm |
| 分辨率 | >500 TVL（水平） |
| 灵敏度 | 0.7 fc 全输出荧光屏 |
| 工作湿度范围 | 0 至 95%，非冷凝 |
| 线缆长度（公制） | 30 m |
| 复合视频 | 1V p-p，终端匹配 75 欧姆电阻 |
| 有效像素 | 755(H) x 484(V)（RS-170 模式） |
| 噪声 | 47 dB |
| 信噪比 | 47 dB |
| 总像素 | 776(H) x 512(V) |
| 级别 | 黑电平：+50 mV（自动黑箝位），白电平：+700 mV，同步电平：-300 mV |
| 全阱容量 | >250000 电子 |
| 有效面积 | 11 mm（对角线） |
| 工作温度（英制） | 32°F 至 86°F |
| 工作温度（公制） | 0°C 至 30°C |
| 电子学配置（扫描格式） | RS-170，30 FPS，隔行扫描 |
| 环境条件 | 振动：50 G（周期为 10 ms 的 1/2 正弦波） |
| 安装选项 | 透镜接口：标准 C 接口（1.0 in. - 32 圈螺纹）；摄像机接口：1/4 in. - 20 圈螺纹 |
| 电压 | 14.5 至 15.5 VDC |
| 瓦数 | 18 W |
| 功耗 | 1.2 A |
| 描述 | CID8710D1 M 抗辐射晶体管 CID 摄像机 (RS-170) |
| Gain | x2、x0.5（内部开关可选） |
| CCU 重量（英制） | 33 oz. |
| 头部重量（英制） | 9.7 oz. |
| CCU 重量（公制） | 0.94 kg |
| 头部重量（公制） | 0.27 kg |
| Unit Size | Each |
还具有所有 CID 固有的卓越的抗光晕性能，并具有定格功能以在中心帧捕获并读取非同步高速事件。灵活多样的摄像头安装功能可简化安装，节省空间，标准 “C” 接口透镜适配器可支持后焦点调整。
摄像机可耐受 γ、中子、高能电子和质子辐射
由于在 CID 像素内进行像素电荷读取，因此很少出现其他成像技术中常见的单一事件干扰
CID 结构具有固有耐辐射特性，而且在针对 CID 工艺进行特定修改后，已具有抗辐射能力
与 CCD 和 CMOS 摄像机相比，CID 摄像机在辐射环境下的操作性能至少提高了一个数量级
成像仪还具有固有抗光晕性能，可耐受高光反射过载
光过载被限制在每个像素或紧邻的像素内，因此相邻行或列不共享电荷
光谱响应为 400 nm 至 1100 nm，有适用于 X 射线、远紫外线和红外线的涂层可供选择
CID 成像仪具有连续一致的像素结构，整个传感器工作时几乎无不透明区，便于亚像素边缘检测的像素间插值
电荷注入设备 (CID) 抗辐射技术
1 x 106 拉德总剂量 (γ)
在 7 x 105 拉德/h 下有出色的成像质量
高分辨率/小尺寸
可更换的远程摄像头
无几何畸变
4:3 长宽比像素
精确边缘检测
可选择 2x 和 0.5 视频增益提升
订货提示
根据要求，摄像机有 CCIR 或逐行扫描格式。选项包括彩色和自定义版以及用于空气和水下操作的第三方计划。
需要
需要外部电源供电 +11.5 至 +17 VDC。
建议用于
检查与测量
工艺监测
自动处理
热室监测
激光束分析
科研
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