对更快、更小和更多互联设备的需求继续推动原子级技术的发展。研究人员和工程师需要在这些维度进行可靠和快速的分析和表征，这只有透射电子显微镜 (TEM) 才能提供。
Thermo Scientific Talos F200E（扫描）透射电子显微镜提供具有极小失真的高分辨率 STEM 和 TEM 成像，其结合高通量能量散射 X 射线谱 (EDS) 功能，专为多种半导体缺陷分析和研究应用而设计。
用于半导体和微电子分析的高生产率解决方案
支持快节奏的工艺开发和良率提升，这使得半导体分析实验室能够显著应变，因为它们必须能够对多种材料和设备进行可重复的高分辨率表征。Talos F200E (S)TEM 设计时考虑到这些实验室，与先前 Talos 模型相比提供了 >1.5 倍快速 EDS 分析，且 TEM 图像失真 ≤ 1%。速度和重复性改进使 Talos F200E (S)TEM 成为设备分析、缺陷表征和良率支持的行业选择。
规格 - Talos F200E TEM
| X-FEG 的亮度 | 1.8 × 109 A/cm2 srad（200 kV 下） | |
| 总射束电流 | > 50 nA | |
| EDS 系统 | 超级 X | 双 X |
| 完全立体角 | 0.9 srad | 2.56 srad |
| 有效立体角* | 0.9 srad | 1.65 srad |
| 检测器 | 4 SDD | 2 个更大的 SDD |
| 相机 | 具有 Thermo Scientific Ceta-M 相机的低失真 4k × 4k | |
| STEM | Panther STEM 分段检测器 | |
| SEMI S2 | 经认证 | |
| STEM 分辨率 | ≤ 0.16 nm | |
| TEM 信息限度 | ≤ 0.12 nm | |
| TEM 线分辨率 | ≤ 0.10 nm | |
| 最大衍射角 | 24˚ | |
| Z 轴运动 | ± 0.375 mm | |
| TEM 图像线性失真 | ≤ 1% | |
| TEM 图像变化（可选） | ≤ 1% | |
| Gatan Continuum 过滤器 | 可选 |
高质量 (S)TEM 成像
高通量 TEM 成像，尽可能减少失真同时进行多信号检测和对比度优化的 STEM 成像。
精确、高速化学表征
快速、精确、定性或定量 EDS 采集和分析。
致力于半导体相关应用
包括：标本-载物台同步实时 TEM 图像旋转、多 STEM 检测器同时操作、集成微分相差 (iDPC) 成像、STEM 视野匹配、即时 EDS 图谱量化、图像失真极小等。
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