用于半导体的 Helios™ G4 HX DualBeam™

全球较先进的成像、分析和 TEM 样品制备用 DualBeam 平台，用于半导体失效分析、工艺开发和工艺控制实验室。

Helios G4 HX DualBeam 结合了业界领先、分辨率较高、对比度较高的 Elstar + UC SEM 与最先进的 Phoenix FIB，可实现一流的成像和铣削性能。Helios G4 HX DualBeam 专为高通量、高质量、超薄 TEM 片晶制备而设计，配备了 FEI EasyLift EX 纳米机械手和新型自动 QuickFlip 穿梭器，用于精确、准确、可重复的原位样品提升和操作。当与 FEI iFast Starter Recipes 结合用于自动化 TEM 样品制备时，即使是新手操作员也能够自信地重复创建高质量、超薄的片晶。

Helios G4 HX DualBeam 旨在应对先进半导体失效分析实验室的挑战。FEI Cell Navigator 使用自动样本导航准确定位重复结构中的缺陷。这将使找到预期目标区域的成功率提高 5% 以上。此外，由 FEI EasyLift EX 纳米机械手、新型 自动 QuickFlip 穿梭器和自动化软件平台 iFAST 实现的具有专利权的倒置 TEM 样品制备方法，在业界提供了较高的通量。

横截面成像

UC 单色仪技术的创新 Elstar 电子镜筒为系统前所未有的高分辨率成像能力提供了基础。这转化为最佳工作距离下 0.6 nm 和双光束重合下 0.8 nm 的不受影响的 SEM 分辨率。高分辨率、低损伤电子束成像对于识别块状样品内的缺陷或结构问题以及指向超薄 TEM 片晶至关重要。在非常低的着陆能量下操作，对于尽可能降低光束对敏感材料（如低 k 介电或光刻胶）的损伤也至关重要。