nProber IV 系统

主要特点

领先的晶体管探测

nProber IV SteadFast 纳米操纵器与温度控制的探测环境相结合，使探针具有与领先的晶体管配合工作所需的稳定性。

敏感样品的高分辨率成像

nProber IV 系统的新 LEEN2 柱支持低至 100 eV 的探测操作，并包括一个将样品剂量降低 30% 的高级控制系统。这些进步使 nProber IV 系统能够准确测量关键晶体管参数，同时尽可能减少 SEM 成像的偏移。

指导性操作和自动化

nProber IV 系统配备 eFast 半自动指导性工作流程，可帮助您完成从上样到电气表征的系统操作。eFast 软件可自动设置 LEEN2 柱并控制关键子系统，确保在多用户生产环境中实现一致的结果。

3D 结构

nProber IV 系统可配备 EBIRCH2 和 EBAC，以发现低至 ∼100 Ω 的 3D 互连结构中的关键故障。EBIRCH2 还可用于定位 FinFET 晶体管中的关键缺陷。此外，nProber IV 系统可配备一个子载物台，使探针能够隔开许多毫米，这对于大型 3D NAND 结构中的故障隔离至关重要。

电阻栅故障

nProber IV 系统可以利用上升时间小于 1 ns 的高速脉冲探测来隔离电阻栅故障。

自动化

我们的 easyProbe 软件可自动执行 nProber IV 工作流程中的关键步骤，包括：清洁探针、将探针降至样品上以及优化探针与样品之间的电气接触。easyProbe 软件可显著减少使用 nProber IV 系统所需的培训，并允许长时间的自动操作。

自动可靠性

可选的热表征封装支持近期自动可靠性标准。样品温度可在 -40°C 至 150°C 之间进行控制，以隔离在环境温度下无法检测到的故障。