Hyperion II 系统

功能

专为 5 nm 技术设计的成熟纳米探测解决方案。

可配置四、六或八个探针，以增加灵活性和性能。

自动吸头更换和自动吸头方法，可提高生产率且易于使用。 

测量模式

Hyperion II 系统的先进测量模式包括： 

用于研究氧化物层和界面阱的低噪声、高分辨率电容-电压 (C-V)。

用于识别开放和电阻栅缺陷的脉冲 IV。

用于研究设备可靠性的高温探测。

电流-电压 (I-V) 测量

探测目标区域内的多个晶体管以定位故障是一项耗时的工作。Hyperion II 系统结合了 I-V 探测的 PicoCurrent 成像功能，可快速找到潜在缺陷，并测量电流-电压曲线，不会引入测量相关偏移。

电容电压 (C-V) 测量

C-V 用于研究氧化物层、界面阱和电荷载体密度。Hyperion II 系统提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏电和极低噪声。

脉冲 I-V 测量

脉冲 I-V 用于研究高 k 介质中 SOI 和捕获电荷的自加热。Hyperion II 系统可对器件进行高速测试，上升时间短于 2 纳秒。

主要特点

快速故障定位

集成 PicoCurrent 成像和扫描电容显微镜检查 (SCM) 可快速识别纳米探测的故障候选项。

eFast 指导性操作

半自动分步引导性操作，可提高生产率、易于使用并减轻培训负担。

无电子束-样品相互作用

原子力探针图像和探针特点，无需 SEM 成像和真空系统。